上个月有报道称，三星已经开始试产Exynos 2600，采用了SF2（2nm）工艺。这表明该款SoC已经进入原型生产阶段，良品率目标锁定在50%，如果最终实现大规模生产，需提高到至少70%以上。为了更好的性能表现，三星还需要解决散热问题，避免过热导致的性能下降，这也是过去几年旗舰Exynos芯片遇到的难题。

据Wccftech报道，三星打算在Exynos 2600上采用HPB（Heat Pass Block）技术，以改善芯片的散热问题，让芯片可以保持最佳性能状态。HPB本质上是作为Exynos 2600的散热器，从而提高散热效率，让SoC能以最高频率运行更长的世界。

目前三星在Exynos系列SoC，是直接将DRAM置于SoC之上，新方法是将HPB和DRAM都直接装在Exynos 2600的上面，新增的部分作为散热模块，从而提高热传导效率。在HPB的顶部，三星将采用扇出型晶圆级封装（FoWLP），以提高耐热性并提供更强的多核性能。三星最早是在Exynos 2400引入扇出型晶圆级封装，现在也将沿用到Exynos 2600。

根据之前泄露的信息，Exynos 2600在CPU部分采用了2+6二丛架构，包含了2个Cortex-X和6个Cortex-A内核，频率最高为3.55GHz。其原型芯片的单核/多核基准测试成绩为2400/9400分的水平，相比于搭载Exynos 2500的Galaxy S25+原型机（单核2359分/多核8141分）并没有太明显的提升。

如果能应用HPB技术，或许能让Exynos 2600达到更高频率，并保持更长时间。