去年8月，SK海力士宣布已成功开发出全球首款采用1cnm（第六代10nm级别）工艺的16Gb DDR5 DRAM，成为全球首家运用1cnm工艺生产DRAM芯片的存储器供应商。新产品不但提升了性能，还能降低功耗。

据Wccftech报道，SK海力士在去年下半年开始了1cnm DRAM芯片的试产工作，初期的良品率为60%，而现在已经提升至80%至90%。在人工智能（AI）浪潮中，采用先进工艺技术制造的DRAM芯片逐渐受到了存储器厂商的重视。凭借1cnm工艺技术取得突破，SK海力士很可能在消费端和数据领域都占据优势，从而超越三星成为DRAM领域的技术领导者。

SK海力士的1cnm DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，运行速率为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，另外能效也提高了9%以上。同时SK海力士在1cnm工艺上进行了设计技术革新，与前一代1β (b) nm工艺相比，生产率提高了30%以上。SK海力士还运用了新材料，并针对EUV适用工艺进行了优化，以确保成本竞争力。按照SK海力士的说法，改用1cnm DDR5 DRAM后，可以为数据中心节省30%以上的电费。暂时还不清楚什么时候进入市场，可能没那么快。

过去几年里，SK海力士逐渐脱颖而出，在HBM领域占据了主导地位。SK海力士已经将下一阶段重点放在了HBM4，预计量产时间也早于竞争对手，差距很可能会继续扩大。SK海力士并不着急扩展1cnm工艺技术，不一定会用于HBM4，有可能等到HBM4E才加入。